자료/연구및기기 2008. 3. 24. 10:41
투명 도전막의 신전개 III―ITO와 그 대체 재료 개발의 현상-

 ●발행처:CMC社●발행일:2008.3●가격:¥65,000(일어판-Print)●페이지:304

 

한글목차

【제1편기초】
제1장 재료 기술, 제막기술 및 프로세스 적합화 기술(남내 상속인)
1. 처음에
2. 재료 개발과 제막기술
3. ITO 대체 기술개발의 현상
3.1 인지움 문제
3.2 대체 재료 개발
4. 끝에

【제2편인지움베이스 투명 전극의 현상과 문제점】
제2장 인지움 화합물의 독성과 ITO 취급상의 주의(타나카 아키요, 히라타 미유키, 오오마에 카즈유키)
1. 처음에
2. 실험동물에 있어서의 인지움의 영향
3. 사람에 있어서의 인지움의 영향
4. 인지움에 의한 건강 장해의 예방과 대책
5. 끝에

제3장 In2O3계와 ZnO계의 비교적 검토(야하기 마사타카)
1. ITO(In2O3-SnO2) 대체 재료의 요구와 In자원문제
2. ITO와 ZnO계 투명 도전체의 기본적 성질의 비교
2.1 화확적 안정성의 비교
2.1.1 평형 상태도의 비교
2.1.2 타겟의 소결 프로세스에 있어서의 안정성
2.1.3 필름의 화확적·전기 화학적 안정성
2.2 점결함 구조
2.3 필름의 미구조와 저항율
3. 향후의 전개

제4장 In2O3계 투명 도전막 
1. ITO의 기본 특성(나카자와 히로시 열매)
1.1 처음에
1.2 ITO(In2O3)의 구조
1.3 ITO(In2O3)의 도전성, 투명성의 기원
1.3.1 도전성
1.3.2 투명성
1.4 ITO(In2O3)의 기본적인 전자 수송기구
1.5 실용적인 ITO막의 기본 특성
1.5.1 결정 구조, 결정성의 성막 온도 의존성
1.5.2 표면 형상
1.5.3 전도 특성
1.5.4 광학 특성
1.6 정리와 향후의 과제

2. 유기 EL용 투명 도전막(우카시마정지)
2.1 처음에
2.2 투명 도전막전반
2.2.1 투명 도전막의 종류
2.2.2 투명 도전막의 제작 방법
2.2.3 저저항화 기술(저전압 스팩터법)
2.3 유기 EL용 투명 도전막
2.3.1 유기 EL란
2.3.2 유기 EL용 투명 도전막에 요구되는 특성
2.3.3 표면 평활 ITO(Super ITO) 막의 제작법
2.3.4 대향 스팩터법
2.3.5 In-Zn-O계 투명 도전막
2.4 끝에

3. 스팩터법을 이용한 LCD용 ITO막의 제작 기술(키요타 준야)
3.1 처음에
3.2 각종 LCD에 있어서의 투명 도전막의 요구 특성과 생산 장치
3.3 TN, STN용 투명 도전막의 형성 방법-저저항 ITO막의 형성
3.4 저저항 ITO/칼라 필터 성막 기술
3.5 TFT 화소용 투명 도전막의 성막 기술
3.5.1 H2O첨가에 의한 비정질 ITO막
3.5.2 In-Zn-O계 비정질 투명 도전막
3.6 끝에

4. PDP용 ITO 박막(오가와 쿠라 하지메)
4.1 처음에
4.2 투명 도전재료와 박막 제작법
4.2.1 투명 도전막재료
4.2.2 투명 도전 박막 제작 방법
4.3 고품질 ITO 박막 제작예와 제특성
4.3.1 저전압 마그네트론 스팩터법에 따르는 ITO 박막의 제작예
4.3.2 저에너지 이온 도금에 의한 ITO 박막
4.3.3 저온 프로세스에 의한 ITO 박막의 비교
4.4 향후의 과제와 정리

5. 아몰퍼스(amorphous) In2O3-ZnO계 박막(우츠노태)
5.1 처음에
5.2 In2O3-ZnO 투명 도전막의 특징
5.2.1 전기 특성
5.2.2 에칭 특성
5.2.3 아몰퍼스(amorphous) In2O3-ZnO계 박막의 구조
5.3 In2O3-ZnO의 성막 특성
5.3.1 In2O3-ZnO의 성막 방법
5.3.2 In2O3-ZnO의 스패터링 특성
5.3.3 In2O3-ZnO 타겟의 특징
5.4 신규 디바이스에의 전개

6. 산화 인지움에 대한 주석 및 아연 이외의 불순물 첨가(사와다 유타카)
6.1 처음에-주석 첨가가 최적이라고 하는 판단의 경위
6.2 산화 인지움 박막에 대한+4값금속 이온의 첨가
6.2.1 티탄 첨가 산화 인지움 박막
6.2.2 지르코늄 첨가 산화 인지움 박막
6.2.3 세륨 첨가 산화 인지움 박막
6.3 산화 인지움 단결정 및 소결물체에 대한+4값금속 이온의 첨가
6.3.1 산화 인지움 단결정에 대한+4값금속 이온의 첨가
6.3.2 산화 인지움 소결물체에 있어서의+4값금속 이온의 첨가
6.4 +4값금속 이온 첨가에 관한 정리
6.5 그 외의 이온의 첨가
6.6 아몰퍼스(amorphous) 산화 인지움에 있어서의 이온 첨가
6.7 끝에

【제3편인지움 사용량 삭감의 가능성】
제5장 ITO 잉크
1. ITO 나노 잉크의 싱고우 시게노리와 신박막화 기술(무라마츠 쥰지, 카니에 키요시 시무라, 사토왕고)
1.1 처음에
1.2 종래법
1.3 액상법단분산 입자 합성
1.4 겔-졸법
1.5 단분산 ITO 입자 합성
1.6 향후의 지침

2. ITO 투명 도전막형성용 잉크의 개발과 그 특성(오사와 마사토, 유교신 히로시, 하야시 시게오, 오다 마사아키)
2.1 처음에
2.2 ITO 투명 도전막형성용 잉크
2.3 잉크(도포형 재료)에 이용하는 나노 입자
2.4 나노 입자의 제작법
2.5 가스중 증발법과 독립 분산 나노 입자
2.6 독립 분산 ITO 나노 입자 잉크(ITO 나노 메탈 잉크)
2.7 잉크젯법에 따르는 ITO 패턴의 형성
2.8 끝에

제6장 In2O3베이스 다원계 산화물 투명 도전막
1. In2O3-SnO2계 투명 도전막에 있어서의 전기 광학 특성의 SnO2양의존성(우치우미 켄타로)
1.1 처음에
1.2 평가방법
1.3 전기 특성
1.3.1 도전 기구
1.3.2 산소 분압 의존성
1.3.3 SnO2양의존성
1.4 광학 특성
1.4.1 다결정막
1.4.2 비정질막
1.5 결정성
1.6 내후성
1.6.1 내열 안정성
1.6.2 내습 안정성
1.7 정리

2. Zn-In-Sn-O계(남내 상속인)
2.1 처음에
2.2 Zn-In-O계
2.3 In-Sn-O계
2.4 Zn-In-Sn-O계
2.5 끝에

【제4편인지움미사용 대체 재료의 가능성】
제7장 박막 태양전지용 투명 도전막
1. Si계 박막 태양전지용의 투명 도전막(오야마탁사)
1.1 처음에
1.2 Si계 박막 태양전지의 구조와 투명 도전막에 요구되는 특성
1.3 투명 도전막의 현상
1.3.1 SnO2:F
1.3.2 ZnO계 투명 도전막
1.4 향후의 과제

2. CIS계 박막 태양전지용의 투명 도전막(즐 가게 카츠미)
2.1 처음에-CIS계 박막 태양전지용 투명 도전막
2.2 CIS계 박막 태양전지용 투명 도전막의 개발의 역사
2.3 CIS계 박막 태양전지의 투명 도전막창층 개발의 현상
2.3.1 CIS계광흡수층의 밴드 갭 구조에 최적인 n형 ZnO막의 개발
2.3.2 고저항 버퍼층의 재질에 최적인 n형 ZnO막의 개발
2.3.3 인타코네크트부를 가지는 집적형 구조에 최적인 n형 ZnO막의 개발
2.3.4 양산성이 있는 n형 ZnO막제막법의 개발
2.4 정리해-CIS계 박막 태양전지의 투명 도전막의 해결해야 할 과제

제8장 LCD용 ZnO계 투명 전극
1. 마그네트론 스팩터제막과 불순물공첨가(남내 상속인)
1.1 ITO 투명 전극 형성의 현상
1.2 ZnO계 투명 도전막의 특징
1.3 ZnO계 투명 전극 형성의 문제점
1.4 저항율 분포의 개선
1.5 안정성과 불순물공첨가 효과
1.5.1 내습 안정성
1.5.2 불순물공첨가 효과

2. 아크 플라스마 증착제막과 ZnO 박막 성능(야마모토 테츠야)
2.1 처음에
2.2 이온 도금법이란
2.2.1 이온이 기판·박막에 미치는 영향
2.2.2 다른 제막법이라는 비교
2.3 반응성 플라스마 증착법(RPD:Reactive Plasma Deposition)
2.3.1 아크 방전
2.3.2 증발원
2.3.3 기판 온도
2.3.4 반응성 플라스마 증착법에 따르는 ZnO 박막 구조의 특징
2.4 갈륨 첨가 산화 아연 박막의 특성
2.4.1 박막 구조의 막후 의존성과 그 제어
2.4.2 전기 특성
2.4.3 광학 특성
2.5 끝에

【제5편 새로운 응용 전개의 가능성】
제9장 유기계 투명 도전막(후지타 타카후미)
1. 처음에
2. 투명 도전막의 현상
2.1 ITO를 둘러싸는 현상
2.2 투명 도전성 재료
2.3 ITO 필름과 도전성 폴리머의 비교
2.3.1 원료
2.3.2 성막
2.3.3 특성
2.4 π공역계 도전성 폴리머
3. PEDOT/PSS
3.1 폴리 thiophene계 도전성 폴리머(PEDOT/PSS)의 특성
3.2 PEDOT/PSS의 도전성의 향상
4. 투명 전극용 데나트론피룸
4.1 대표 그레이드의 특징
4.2 ITO 스팩터 필름이라는 비교
5. 패터닝
5.1 리프트 오프법을 응용한 방법
5.2 감광성 데나트론
6. 용도 전개
7. 끝에

제10장 TiO2계 투명 도전체(일삼타로)
1. 처음에
2. 아몰퍼스(amorphous) 성막시의 산소 분압의 중요성-배정층의 도입
3. 배정층의 도입
3.1 아나타제의 결정성 향상
3.2 결정화 온도의 저하
4. 광학적 특성
5. 새로운 저저항화와 저온 프로세스를 향해서
6. 끝에

제11장근적외선 투과고이동도 투명 도전막(리전숭)
1. 처음에
2. 투명 도전막의 근적외 영역의 광학 특성과 전기 특성의 관계
3. 근적외 투과고이동도 투명 도전막의 재료 개발
3.1 재료 개발 방법
3.2 금속 원자 첨가에 의한 고이동도화
3.2.1 Ti, Zr, Sn첨가 In2O3에피텍샬 박막의 전기 특성 비교
3.2.2 유리 기판상Zr첨가 In2O3다결정 박막의 전기 특성
3.3 수소 원자 첨가 및 고상 결정화에 의한 고이동도화
4. 끝에

제12장 유기 EL용 투명 전극
1. 유기 EL용 투명 전극(우치다 타카유키)
1.1 처음에
1.1.1 투명 도전막
1.1.2 유기 EL소자의 시장의 동향
1.1.3 유기 EL소자를 위한 투명 도전막
1.2 유기 EL소자를 위한 투명 도전막
1.2.1 보텀 에미션용 TCO 기판
1.2.2 톱 에미션용 TCO
1.3 정리 

2. 유기 EL용 ITO막-평탄화 ITO의 성막 기술(이와오카 계명)
2.1 유기 EL의 특징과 투명 전극에 요구되는 성능
2.1.1 유기 EL의 특징
2.1.2 유기 EL용 투명 전극에 요구되는 성능
2.2 PVD법에 의해 성막 한 ITO의 성능
2.2.1 성막 장치의 구성
2.2.2 구조적 특성의 비교
2.2.3 전기적, 광학적 특성의 비교
2.2.4 에칭 레이트·내구성의 비교
2.2.5 각 성막 방법에 있어서의 메리트·디메리트
2.3 평탄화 ITO의 성막 기술
2.3.1 아닐 처리에 의한 결정화
2.3.2 불순물 농도·물질의 최적화
2.3.3 성막 파라미터의 최적화

제13장 ZnO계 투명 도전막이 새로운 응용 전개
1. PLD법에 따르는 고성능 투명 도전막(스즈키정웅)
1.1 처음에
1.2 고성능인 ZnO계 투명 도전막을 얻을 수 있는 PLD(펄스 레이저 퇴적) 법
1.3 PLD법에 따르는 ZnO계 투명 도전막의 제작
1.3.1 지극히 낮은 저항율(10-5Ω·cm오더)을 달성한 AZO 투명 도전막
1.3.2 초박막 영역(막후 50 nm이하)의 AZO 투명 도전막으로 저저항율과 평탄화를 달성
1.3.3 저온(실온~90℃) 유기 기판상의 저저항인 AZO 및 GZO 투명 도전막
1.3.4 ITO(인지움)의 사용을 큰폭으로 삭감한 AZO 투명 도전막과 ITO를 적층시켜 제작한 하이브리드 투명 도전막
1.4 정리

2. ZnO 투명 도전막의 신기능(니키 사카에, 마츠바라 코지, 탐보중 시무라, 시바타조)
2.1 처음에
2.2 차세대의 투명 도전막에의 요구
2.3 ZnO계 투명 도전막의 제막과 적외 흡수
2.4 밴드 엔지니어링
2.5 정리

3. ZnO계 투명 도전막의 LED에의 응용(나카하라 켄)
3.1 처음에
3.2 LED와 투명 도전 물질
3.3 투명 도전재료로서의 ZnO
3.4 ZnO 투명 도전막성장 방법과 LED에의 응용
3.5 개발한 투명 전극의 실력
3.6 향후의 전개와 타용도에의 응용

4. 반응성 스팩터에 의한 고속 성막(시게사토유3, 지금 마사토)
4.1 스팩터 성막법
4.2 반응성 펄스 마그네트론 스팩터법(아킹의 억제)
4.3 플라스마 발광 강도 제어법과 impedance 제어법(천이 영역의 제어)
4.4 천이 영역에 있어서의 AZO의 안정 성막
4.4.1 DMS 성막 장치
4.4.2 DMS 플라스마 발광 강도 제어법
4.4.3 DMS impedance 제어법
4.4.4 유니포라파르스스팟타법
4.5 정리

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