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- 2009.04.03 :: SigmaPlot / EndNote / ChemOffice 사용자 교육 안내
- 2009.03.30 :: 기업 인사담당자들, 대학 교육에 바란다
- 2009.03.18 :: RAMAN SPECTROSCOPY: Nanowire on a film makes efficient SERS platform 170
- 2009.02.23 :: Gavin Conibeer 1
SigmaPlot / EndNote / ChemOffice 사용자 교육 안내 |
저희 제품을 사용하시는 고객 여러분께 감사드립니다. |
SigmaPlot 사용자 교육 안내 --> 교육 신청 하기
내용 |
SigmaPlot 기본 교육 |
일시 |
2009년 4월 22일 수요일 오후 2:00 ~ 오후 6:00 (4시간) |
장소 |
필 사이언스 기술지원센터 |
신청 |
|
인원 |
선착순 15명 |
비용 |
50,000원 : 당사에서 SigmaPlot을 구입한 모든 고객
100,000원 : 당사에서 SigmaPlot을 구입하지 않은 고객
|
ChemOffice 사용자 교육 안내 --> 교육 신청 하기
내용 |
ChemOffice 기본 교육 |
일시 |
2009년 4월 21일 화요일 오후 2:00 ~ 오후 6:00 (4시간) |
장소 |
필 사이언스 기술지원센터 |
신청 |
|
인원 |
선착순 10명 |
비용 |
50,000원 : 당사에서 CambridgeSoft(ChemOffice, ChemDraw)을 구입한 모든 고객
100,000원 : 당사에서 CambridgeSoft(ChemOffice, ChemDraw)을 구입하지 않은 고객
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EndNote 사용자 교육 안내 --> 교육 신청 하기
내용 |
EndNote 중급 교육 EndNote 기초적인 사용 능력을 갖춘 중급 사용자를 위한 교육 과정입니다. |
일시 |
2009년 4월 23일 목요일 오후 2시 ~ 6시 (4시간) |
장소 |
필 사이언스 기술지원센터 |
신청 |
|
인원 |
선착순 15명 |
비용 |
50,000원 : 당사에서 EndNote를 구입한 모든 고객
100,000원 : 당사에서 EndNote를 구입하지 않은 고객
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주의사항 |
|
회사 | 제품 | 기술지원 | 가격/주문 | 사용자등록 | 사용자 교육 | 문의 |
필 사이언스(주) 경기도 고양시 일산동구 백석동 1141-2 유니테크빌 825 전화 031-905-7754 팩스 031-905-7724 |
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대학생 취업 선호도 최상위 기업인 CJ제일제당의 정태영 인사담당 상무는 "신입사원을 현업 투입할 수 있게 훈련시키려면 1인당 1억원 이상의 추가 비용이 든다"며 "대학은 기업이 필요로 하는 맞춤형 인재를 양성하지 못하고 있다"고 말했다.
2009 년 상반기 채용 시즌, 신입사원 선발에 나선 기업들은 대학 교육의 인재 공급 시스템이 안일하다고 아우성이다. 현실적이고 과감한 산·학 연계 교육을 요구하면서 일부에선 아예 대학 1학년부터 취업 수요에 맞춰 전공과목을 배우게 하는 '맞춤형 교육'을 요구하고 있다.
학교 교육이, 기업이 원하는 인재 배출에만 최종 목표를 둘 수는 없다. 건전한 시민으로서 인성(人性)이며 인문학적 소양, 올바른 역사·사회 인식 등도 학교 교육이 포기하면 안 될 가치들이다.
그 러나 학교 교육을 받은 학생들 절대다수의 종착역은 기업이란 점에서 대학은 기업들 요구에 귀 기울일 필요가 있다. 가장 큰 교육의 소비자인 기업들이 교육에 바라는 것을 10개 기업(익명 요구 포함) 인사 담당 임원을 통해 들어봤다.
신세계백화점 최중섭 상무는 "높은 학점, 높은 어학 점수, 적당한 연수 경험과 봉사활동, 비슷비슷한 스펙(조건)의 획일적 학생들만 배출되다 보니 기업은 도리어 비슷한 인재들을 변별하느라 생고생하고 있다"고 말했다. KT 정준수 상무는 "기업은 잡다하고 얇은 지식을 원하지 않는데 지금 대학은 너무 통합적으로 과목을 묶고 있어 톡톡 튀는 개성을 살리지 못한다"고 말했다.
바깥세상은 새로운 아이디어가 부가가치를 생산하는 방향으로 급변하는데 우리 대학은 열정적이고, 창의적 인재보다 낙오하지 않을 인재 키우기에 매달린다는 불만인 것이다.
신한은행 박찬 부행장은 "신입직원들이 뛰어난 어학 실력과 전문 자격증을 갖췄다지만 정작 현업에서 창의적으로 응용하지 못하는 게 바로 우리 교육의 문제"라며 "점점 다양화·복합화되는 금융 기법과 금융 상품 앞에서 우리가 고전하는 것도 같은 맥락"이라고 말했다. 두산인프라코어의 이종완 상무는 "이론과 시험 위주의 교육으로는 창의성과 리더십을 개발할 수 없어 경쟁력을 갖지 못한다"고 말했다.
◆인성도, 전공 지식도 부족하다
많 은 기업 인사 담당자들은 공교육이 겉으로는 인성 교육을 위해 과도한 경쟁을 자제한다는 명분을 내세우지만 정작 신입사원을 뽑아보면 딴판이라고 지적했다. 해외 인력보다 더 심한 개인주의, 희생이나 봉사를 형식적으로 이해하는 모습 등이 인턴 채용이나 심층 면접에서 적나라하게 나타난다는 것이다. 중외제약 한상진 인사부장은 "지금 기업들은 높은 토익 점수나 학점보다 남을 위해 희생할 줄 아는 인재를 우선적으로 뽑으려 하지만 그런 사람은 많지 않다"고 말했다.
익명을 요구한 한 임원은 "전인(全人) 교육을 지향하는 것인지, 특정 분야의 전문가를 키우겠다는 것인지 목적이 불명확한 게 문제"라고 했고, GS홈쇼핑의 조상구 상무는 "인재를 뽑으면 업무에 곧바로 투입하기도 힘들지만 그렇다고 인성과 태도 같은 기본 소양이 빼어나지도 않다"고 말했다. 포스코 윤동준 상무는 "신입사원 면접을 해보면 전공 지식이 너무 피상적이고, 대학 내내 영어 공부만 한 것 같다"고 말했다.
◆기업 인력 수요와 겉돈다
익명의 한 임원은 "학과 이름만 바꾸면 산업계 요구에 응하는 건가. 너도나도 학과 이름에 '바이오' '나노' 등을 갖다 붙이지만 내실 있는 교육 과정 변화는 보기 힘들다"고 말했디.
신한은행 박찬 부행장은 "학문하려는 학생과 취업하려는 학생을 위한 별도의 교육 과정을 만들어 학생들에게 배움의 선택권을 늘려줘야 한다"고 말했다. KT 정준수 상무는 "노동시장의 표준 직무 분류를 다시 해 대학의 학과 과정도 재편할 필요가 있으며, 지금 대학 교육 과정은 기업의 인력 수요와 겉돌고 있다"고 말했다.
또 다른 익명의 임원은 "대학이 우리 사회 변화에 대한 인사이트(insight·통찰)를 제대로 던져주는지 반문하고 싶다"면서 "대학생 인턴사원들은 기업에 와서 대학 시절 뭘 배웠는지 모르겠다고 한다"고 말했다.
대 학들이 변화하려는 노력 자체에 대해선 대부분 임원들이 긍정적인 평가를 하고 있었다. 신세계 최 상무는 "인턴십 학점제를 도입하고, 중복 복수 전공을 허용하거나 외국어 필수학점제 도입 등 대학 사회도 많은 노력을 하고 있다"고 말했다.
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RAMAN SPECTROSCOPY: Nanowire on a film makes efficient SERS platform
Researchers from KAIST (Daejeon, Korea), Korea University, and Soongsil University (both in Seoul, Korea), have developed an efficient and highly reproducible surface-enhanced Raman spectroscopy (SERS) platform for scattering-based sensors in biological and medical applications.1
In SERS, molecules of interest adsorb onto particular nanostructured metal surfaces and create localized surface plasmons that cause a dramatic increase in the incident electromagnetic field–high Raman intensities that can be used to differentiate the spectral fingerprint of many molecules (see www.laserfocusworld.com/articles/317040). Unfortunately, these high Raman intensities or “hot spots” are not easy to reproduce and are highly dependent on the nanostructure platform used. To combat this drawback, the research team developed a simple platform consisting of a metallic nanowire cast onto a metallic film. The single-nanowire-on-a-film (SNOF) architecture is easy to fabricate, reproducible, and provides a line of SERS hot spots at the gap between the nanowire and the film upon optical excitation. In addition, the position of the hot spots can be located in situ using an optical microscope during the SERS measurement.
“SNOF provides an important step toward our main goal to develop simple and atomically well-defined SERS-active nanostructures that actually could be applied as nanobiosensors,” says Ilsun Yoon, postdoctoral researcher at KAIST.
Both finite-difference time-domain (FDTD) modeling and experimental results were used to show how the SNOF architecture could increase Raman gain for improved spectral analysis of three different molecules: benzenethiol, brilliant cresyl blue, and single-stranded DNA. Experimentation included a gold (Au) nanowire fabricated on a Au film as the primary SNOF structure; in addition, a Au nanowire on a silicon substrate was used as a control platform to highlight the Raman gain observed for the primary SNOF structure. Silver (Ag) nanowires and films were also prepared in order to understand the effects of using different metals.
A SNOF architecture (left) produces local Raman gain that enables detection of molecules such as benzenethiol using SERS (a). Optical-microscope (b) and scanning-electron-microscope (c) images confirm that a single gold nanowire is present on the gold film. The SERS spectra of benzenethiol using different nanowire and film materials (right) show the highest Raman gain for the silver nanowire on silver film combination. (Courtesy of KAIST)
Gold nanowires were grown on a sapphire substrate in a horizontal quartz tube furnace using a vapor-transport method. The single-crystalline Au nanowires have a diamond-shaped cross section, are 100 to 200 nm in diameter, and up to tens of micrometers long. Gold 300-nm-thick films were deposited on 10 nm of chromium over silicon substrates, with electron-beam-assisted deposition. A root-mean-square surface roughness of 2.3 to 2.8 nm was sufficiently smooth for the films to be SERS inactive by themselves. To prepare the SNOF structure, Au nanowires were incubated in the solutions containing the analytes and then a drop of the incubated Au nanowire solution was cast on the Au film. The Au nanowires physically adhere on the Au film by the so-called “London force,” a form of intermolecular force.
Surface-plasmon polaritons
A home-built micro-Raman system with a cooled CCD detector and 500-nm-diameter helium-neon laser spot was then used to perform SERS measurements on the adsorbed molecules on the SNOF structure, which was immersed in water. When the SNOF structure is illuminated, an enhanced electric field is induced at the gap between the Au nanowire and the Au film due to excitation of a surface plasmon on the nanowire, which in turn excites surface-plasmon polaritons on the metal film, creating a hot line at the nanowire/film gap.
Experimental
results indicated that the SERS signal increased by a factor of 500 for
the Au nanowire on Au film SNOF compared to the Au nanowire on the
silicon control substrate. Polarization of the input laser source was
also important for Raman enhancement. Raman enhancement of SNOF is
mainly dependent on the material of the nanowire. The Ag nanowire on Ag
film SNOF had the best performance among the SNOF structures, because
the localized surface-plasmon excitation of a Ag nanowire is stronger
upon illumination by 633 nm laser light than that of a Au nanowire.
–Gail Overton
REFERENCE
- I. Yoon et al., J. American Chem. Soc. online, DOI: 10.1021/ja807455s (Dec. 19, 2008).
Sun Feb 01 00:00:00 CST 2009
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Gavin Conibeer (1) | 2009.02.23 |
Georgia Tech Professor Walt de Heer holds a proof-of-principle device constructed of graphene (0) | 2009.01.06 |
[book] Supramolecular Organization and Materials Design (0) | 2008.12.24 |
Gavin Conibeer University of New South Wales Deputy Director, Photovoltaics Centre of Excellence Presentation Title: Third Generation Photovoltaics (PDF, 1.6Mb) |
|
Abstract: To achieve the International Panel on Climate Change recommended 60% reduction in emissions by 2050—the minimum needed to offset the worst effects of climate change—a large scale implementation of sustainable and renewable energy technologies is required. Amongst these renewable energies, photovoltaics is the fastest growing technology with more than 30% growth per year over the last 10 years and more than 60% growth in 2007; although worldwide installation is still small. This growth in manufacture is currently driven by subsidies, primarily in Europe, but the increase itself leads to a learning effect as the technology matures, which brings down the cost per unit. In order to maintain the leverage this steep learning curve applies to unit price, a transition of technology from the first generation approaches based on single crystal wafer based solar cells to second generation thin film, with their much lower energy intensity and material usage, is required. However to project this downward pressure on price onto ever larger production volumes, a further generation change is required to push up efficiencies whilst still maintaining the low cost approaches of thin film cells. The reason that such third generation technologies can achieve such a “best of both worlds” result is that the vast majority of current production cells consist of only one absorbing semiconductor material. But such single semiconductor band gap devices have to compromise in their absorption of the very polychromatic solar spectrum, with a wide range of photon energies. This leads to significant energy losses through two main routes. At first, solar photons at less than the band gap energy are not absorbed at all and are wasted. Secondly, for photons well above the band gap energy, a large fraction of their energy is lost as heat in the device. Third generation devices use multiple energy levels, often in the form of several different semiconductor materials, to extract energy efficiently from a greater fraction of these photons. Examples of such approaches will be discussed, with specific mention of tandem solar cells that use quantum dot nanostructures based on silicon; devices which can up-convert low energy photons such that they are absorbed; and hot carrier cells which seek to extract the energy gained from high energy photons before it can be lost to the lattice. The status of and prospects for these approaches will be assessed. Biography: Dr. Gavin Conibeer received his PhD from Southampton University, UK, in Semiconductor Physics for tandem solar cells in 1995. He also has a BSc in Materials Science and MSc in Polymer Science from London University. Conibeer has held research positions at Oxford, Cranfield, Southampton, and Monash Universities where he has worked on most of the materials systems used in photovoltaics. Conibeer joined the University of New South Wales, Sydney, Australia in 2002 and was appointed a Deputy Director in the Photovoltaics Centre of Excellence in 2003, in charge of Third Generation Photovoltaics. This group of 22 researchers is investigating the fabrication of silicon, germanium and tin nanostructures in oxide, nitride or carbide matrices; up or down conversion of the incident solar spectrum; and hot carrier solar cells. Conibeer’s personal research interests encompass a wide range of third generation and advanced photovoltaic concepts, including silicon quantum dot based tandem solar cells, hot carrier solar cells, up-conversion and photoelectrochemical cells. He is author of over 100 publications including 35 journal articles. |
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